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设计的VBT2060C作为一种双重高压沟肖特基整流器MOS障碍为使用在高频率转换器,开关电源,自主二极管、OR-ing二极管,dc-to-dc转换器和逆向电池保护。
它有六个特征。(1)战壕MOS肖特基技术。(2)低电压下降,提出了低功率损失。(3)高效率的工作。(4)满足每J-STD-020潮位一级,如果*大峰值的TO-263AB 245°C(包装)。(5)焊熔池温度275°C的*大值,10、每JESD 22-B106(TO-220AB,TO-262AA包装,ITO-220AB)。 (6)2002/95符合RoHS指令,按照/ EC 96 / EC曰。这些都是其主要特征。
一些绝对*大额定值订立分成几个分如下。(1)它的*大峰值反向电压会重复60V。(2)它的*大平均电流会20A提出纠正每装置和10A每二极管。(3)目前8.3ms顶峰向前涌单半正弦波叠加在将150A额定载荷。(4)它的non-repetitive雪崩能量= 25°C,研究将120mJ L = 60mH。 (5)重复的反向电流在颠峰时期,2us赫兹tp = = 38°C,研究将1.0A每二极管。(6)它将1500V隔离电压。(7)它的工作温度和贮存温度范围应该是从-55°C至150°C。应该指出的是,强调以上所列绝对*大额定值可能会引起永久性的损坏设备。
也有一些电学性质的结论与建议。(1)它会打字60V击穿电压。(2)它的瞬时正向电压会打字0.49V每二极管在如果= 5A,并将成为0.57和马克斯0.65V流在如果= 10A。(3)它将是每个二极管反向电流在Ta = 25马克斯850uA°C,并将在40mA打字和麦克斯14mA 125°Ta = C。等等。目前我们还没有得到如此多的信息我们会对这个IC和努力去得到多一点的相关资讯。如果你有任何意见或建议,或想知道更多的信息,请与我们联系
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