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高温门极试验(HTGB)第三方检测中心

最后更新:2024-03-20 10:21      发布商家:西安长禾半导体技术有限公司
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产品/服务: 高温门极试验(HTGB)第三方检测中心
商 家: 西安长禾半导体技术有限公司
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有效期至: 长期有效
 
 

检测项目

覆盖产品

检测能力

参考标准

功率循环试验(PC)

IGBT模块

ΔTj=100℃ 电压电流大1800A 12V

IEC 客户自定义

高温反偏试验(HTRB)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件

温度高150℃; 电压高2000V

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

高温门极试验(HTGB)

MOSFET、SiC MOS等单管器件

温度高150℃; 电压高2000V

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

高温工作寿命试验(HTOL)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件

温度高150℃ 电压高2000V

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

低温工作寿命试验(LTOL)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件

温度低-80℃ 电压高2000V

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

高温储存试验(HTSL)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度高150℃;

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

低温储存试验(LTSL)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度低-80℃

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

高温高湿试验(THB)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度高180℃ 湿度范围:10%98%

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

高低温循环试验(TC)

MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度范围:-80℃220℃

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

间歇寿命试验(IOL)功率循环试验(PC)

MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件

ΔTj≧100℃ 电压电流大48V,10A

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

 
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