检测项目 | 覆盖产品 | 检测能力 | 参考标准 | |||
功率循环试验(PC) | IGBT模块 | ΔTj=100℃ 电压电流大1800A 12V | IEC 客户自定义 | |||
高温反偏试验(HTRB) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件 | 温度高150℃; 电压高2000V | 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 | |||
高温门极试验(HTGB) | MOSFET、SiC MOS等单管器件 | 温度高150℃; 电压高2000V | 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 | |||
高温工作寿命试验(HTOL) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 | 温度高150℃ 电压高2000V | 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 | |||
低温工作寿命试验(LTOL) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 | 温度低-80℃ 电压高2000V | 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 | |||
高温储存试验(HTSL) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度高150℃; | 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 | |||
低温储存试验(LTSL) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度低-80℃ | 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 | |||
高温高湿试验(THB) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度高180℃ 湿度范围:10%98% | 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 | |||
高低温循环试验(TC) | MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 | 温度范围:-80℃220℃ | 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 | |||
间歇寿命试验(IOL)功率循环试验(PC) | MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 | ΔTj≧100℃ 电压电流大48V,10A | 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 |