栅极电荷 | MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 | 检测大电压:1200V 检测大电流:200A | 美军标,国标,IEC等 |
栅极电荷 | IGBT等模块产品 | 检测大电压:2700V 检测大电流:4000A | 国标,IEC |
短路耐量能力 | MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 | 检测大电压:1200V 检测大电流:1000A | 美军标,国标,IEC等 |
短路耐量能力 | IGBT等模块产品 | 检测大电压:2700V 检测大电流:10000A | 国标,IEC |
结电容 | MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 | 检测大电压:3000V | IEC |
参数曲线扫描 | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线 | 检测大电压:3000V 检测大电流:1500A 温度:-70°C180°C | 美军标,IEC等 |